En septiembre de 1961, mientras trabajaba en Texas instruments en Dallas, Texas, James R. Biard y gary pittman descubrieron la emisión de luz cerca de infrarrojos (900 NM) de un diodo de túnel que habían construido sobre un sustrato de gaas. para octubre de 1961, habían demostrado una emisión de luz eficiente y un acoplamiento de señal entre un emisor de luz gaas p-n junction y un semiconductor de semiconductores eléctricamente aislado. El 1962 de agosto de 1962, biard y pittman presentaron una patente titulada semiconductor radiante de semiconductores basado en sus hallazgos, que describe un zinc difusa p-n junction led con un contacto cátodo espaciados para permitir una emisión eficiente de la luz infrarroja bajo prejuicios. Después de establecer la prioridad de su trabajo basado en cuadernos de ingeniería antes de las presentaciones de los laboratorios g.e., LABORATORIOS DE INVESTIGACIÓN RCA, LABORATORIOS DE INVESTIGACIÓN IBM, LABORATORIOS BELL, y lincoln lab en mit, la oficina de patentes de los Estados Unidos emitió los dos inventores la patente para el infrarrojo gaas (ir) diodo emisor de luz (patente de ee. uu.), el primer led práctico. Inmediatamente después de presentar la patente, Texas Instruments ( ti ) comenzó un proyecto para fabricar diodos infrarrojos. en octubre de 1962, ti anunció el primer producto comercial led (el snx-100), que empleó un cristal de gaas puro para emitir una salida de luz de 890 NM. en octubre de 1963, ti anunció el primer comercial semiesférica led, el snx-110.
En qué año se presentó la patente para el diodo radiante de semiconductores?
1962