Debido a que la movilidad electrónica es más alta que la movilidad del agujero para todos los materiales de semiconductores, un transistor bipolar n-P-n-n tiende a ser más rápido que un transistor equivalente p-n-P. Gaas tiene la movilidad electrónica más alta de los tres semiconductores. Es por esta razón que gaas se utiliza en aplicaciones de alta frecuencia. un desarrollo fet relativamente reciente, el transistor de alta movilidad (HEMT), tiene un heteroestructurales (unión entre diferentes materiales de semiconductores) de galio de aluminio arseniuro (Algas)-Galio Arseniuro (gaas) que tiene dos veces la movilidad electrónica de un gaas-Cruce de barrera metálica. Debido a su alta velocidad y bajo ruido, los electrones se utilizan en receptores satelitales trabajando en frecuencias alrededor de 12 Ghz. Electrones a base de galio de galio y galio de aluminio nitruro (Algan / gan electrones) proporcionan una movilidad electrónica aún más alta y se están desarrollando para diversas aplicaciones.
Cuáles son las aplicaciones comunes de hemt?
receptores satelitales