सितंबर 1961 में, डलास, टेक्सास, जेम्स आर में टेक्सास उपकरणों में काम करते हुए । biard और गैरी पिटमैन ने एक सुरंग डायोड से निकट इन्फ्रारेड (900 एनएम) प्रकाश उत्सर्जन की खोज की, उन्होंने एक gaas सब्सट्रेट पर बनाया था । अक्टूबर 1961 तक, उन्होंने एक gaas पी-एन जंक्शन लाइट एमिटर और एक विद्युत-पृथक अर्धचालक photodetector के बीच कुशल प्रकाश उत्सर्जन और सिग्नल युग्मन का प्रदर्शन किया था । 1962 अगस्त 1962 को, biard और पिटमैन ने अपने निष्कर्षों पर आधारित अर्धचालक उज्ज्वल डायोड शीर्षक का एक पेटेंट दायर किया, जिसमें एक जस्ता दूर पी-एन जंक्शन का वर्णन किया गया, जो कि आगे के पूर्वाग्रह के तहत इन्फ्रारेड लाइट के कुशल उत्सर्जन की अनुमति देने के लिए संपर्क करता है. इंजीनियरिंग नोटबुक पर आधारित अपने काम की प्राथमिकता स्थापित करने के बाद, आरसीए लैब्स, आरसीए रिसर्च लैब्स, आईबीएम रिसर्च लैब्स, बेल लैब्स, और लिंकन लैब से एमआईटी में, अमेरिकी पेटेंट कार्यालय ने दो आविष्कारक को gaas इन्फ्रारेड (आईआर) के लिए पेटेंट जारी किया प्रकाश-उत्सर्जन डायोड (अमेरिकी पेटेंट us3293513), पहला व्यावहारिक एलईडी । पेटेंट दाखिल करने के तुरंत बाद, टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स ( ti ) ने इन्फ्रारेड डायोड बनाने के लिए एक परियोजना शुरू की । अक्टूबर 1962 में, टीआई ने पहले एलईडी वाणिज्यिक उत्पाद (snx-100) की घोषणा की, जिसने एक 890 एनएम लाइट आउटपुट को उत्सर्जन करने के लिए एक शुद्ध gaas क्रिस्टल का काम किया । अक्टूबर 1963 में, टीआई ने पहले वाणिज्यिक hemispherical एलईडी, snx-110. की घोषणा की ।
सेमीकंडक्टर उज्ज्वल डायोड के लिए पेटेंट किस वर्ष में दायर किया गया था?
1962