क्योंकि इलेक्ट्रॉन गतिशीलता सभी अर्धचालक सामग्री के लिए छेद गतिशीलता से अधिक है, एक दिए गए द्विध्रुवी एन-पी-एन ट्रांजिस्टर एक समकक्ष पी-एन-पी ट्रांजिस्टर की तुलना में अधिक तेज होता है । gaas के पास तीन अर्धचालक की उच्चतम इलेक्ट्रॉन गतिशीलता है । यह इस कारण है कि gaas का उपयोग उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगों में किया जाता है । एक अपेक्षाकृत हाल ही में ' विकास, उच्च-इलेक्ट्रॉन-गतिशीलता ट्रांजिस्टर (hemt), एल्युमिनियम गैलियम आर्सेनाइड (algas) के विभिन्न अर्धचालक सामग्री के बीच एक heterostructure (जंक्शन) है - गैलियम आर्सेनाइड (gaas) जो एक gaas की इलेक्ट्रॉन गतिशीलता के दो बार है-मेटल बैरियर जंक्शन । उनकी उच्च गति और कम शोर के कारण, hemts को उपग्रह रिसीवर में इस्तेमाल किया जाता है, जो 12 ghz के आसपास आवृत्तियों पर काम कर रहे हैं । गैलियम नाइट्राइड और एल्युमिनियम गैलियम नाइट्राइड (आलगन / गन hemts) पर आधारित hemts अभी भी उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता प्रदान करता है और विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए विकसित किया जा रहा है ।
Hemt के आम अनुप्रयोग क्या हैं?
उपग्रह रिसीवर