Weil die Elektron höher ist als die Loch für alle Halbleiter-Materialien, ist ein gegeben n-p-n-Transistor tendenziell schneller als ein gleichwertiger p-n-p-Transistor. GaAs hat die höchste Elektron-Mobilität der drei Halbleiter. Aus diesem Grund wird GaAs in High-Frequency-Anwendungen verwendet. Eine relativ aktuelle FET-Entwicklung, der High-Elektron-Mobilität-Transistor (HEMT), hat eine-(Kreuzung zwischen verschiedenen Halbleiter-Materialien) aus Aluminium-Gallium (AlGaAs)-Gallium-(GaAs), die zweimal die Elektron-Mobilität eines GaAs hat-Metall-Barriere-Kreuzung. Durch die hohe Geschwindigkeit und den niedrigen Lärm werden Maskirungsschritten in Satelliten-Empfängern eingesetzt, die bei Frequenzen rund 12 GHz arbeiten. Maskirungsschritten auf der Grundlage von Gallium und Aluminium-Gallium (AlGaN / Galliumnitrid Maskirungsschritten) bieten eine noch höhere Elektron und werden für verschiedene Anwendungen entwickelt.
Für was steht HEMT?
High-Elektron-Mobilität-Transistor