BJTs haben drei Terminals, die den drei Schichten von Halbleiter-einem Emitter, einer Basis und einem Sammler entsprechen. Sie sind nützlich in Verstärker, weil die Ströme am Emitter und Sammler durch eine relativ kleine Basis-Strömung steuerbar sind. In einem N-P-N-Transistor, der in der aktiven Region tätig ist, ist die Emitter vorne (Elektronen und Löcher an der Kreuzung) vorwärts, und Elektronen werden in die Basis-Region injiziert. Weil die Basis schmal ist, werden die meisten dieser Elektronen in die Reverse-voreingenommen diffusen (Elektronen und Löcher entstehen, und bewegen sich von der Kreuzung) Basis-Sammler-Kreuzung und werden in den Sammler gefegt; vielleicht ein-hundertsten der Elektronen wird in der Basis rekombinieren, was der dominante Mechanismus in der Basis-Strömung ist. Durch die Kontrolle der Anzahl der Elektronen, die die Basis verlassen können, kann die Anzahl der Elektronen, die den Sammler betreten, kontrolliert werden. Der Sammler ist ungefähr b (Common-Emitter-aktuelle Gain) Zeiten die Basis-Strömung. Es ist in der Regel größer als 100 für kleine Transistoren, kann aber in Transistoren, die für High-Power-Anwendungen entwickelt werden, kleiner sein.
Was ist der übliche Sammler-Strom für kleine Transistoren?
größer als 100