Im September 1961, während sie in Texas Instruments in Dallas, Texas, James R. arbeiten. Biard und Gary Pittman entdeckten in der Nähe-Infrarot (900 nm) Licht von einer Tunnel-Dioden, die sie auf einem GaAs Substrat gebaut hatten. Bis zum 1961 Oktober zeigten sie eine effiziente Licht und Signal zwischen einem GaAs p-n Kreuzung und einem elektrisch isolierten Halbleiter-Fotodetektor. Am 1962 August 1962 haben Biard und Pittman ein Patent mit dem Titel Semiconductor strahlende Dioden eingereicht, das auf ihren Erkenntnissen basiert, die eine Zink-verbreitet p-n-Kreuzung mit einem Abständen Kathode, um eine effiziente Emission von Infrarot-Licht unter vorne zu ermöglichen.. Nachdem sie die Priorität ihrer Arbeit auf der Grundlage von Engineering-Notebooks mit den Einsendungen von G.E. Labs, RCA Research Labs, IBM Research Labs, Bell Labs und Lincoln Lab am MIT, haben das US-Patentamt die beiden Erfinder das Patent für das GaAs Infrarot (IR) Licht-emittierenden Dioden (US-Patent-US3293513), die erste praktische LED. Unmittelbar nach der Ablage des Patents begann Texas Instruments ( TI ) ein Projekt zur Herstellung von Infrarot-Dioden. Im Oktober 1962 kündigte TI das erste LED-kommerzielle Produkt (der SNX-100) an, das einen reinen GaAs-Kristall beschäftigte, um eine 890 nm leichte Produktion zu ausstoßen. Im Oktober 1963 kündigte TI die erste kommerzielle halbkugelförmigen LED, die SNX-110. an.
In welchem Zustand welche Nähe-Infrarot-Licht entdeckt?
Texas