Entwurfsregeln werden weiter in Erschöpfung-Modus und Verbesserung-Modus unterteilt, je nachdem, ob der Kanal mit Null Gate-to-Source-Spannung eingeschaltet oder ausgeschaltet wird. Für den Verbesserung ist der Kanal bei Null-Bias, und ein Gate-Potenzial kann die Leitung verbessern. Für den Erschöpfung ist der Kanal bei Null-Bias, und ein Tor-Potenzial (der gegenüberliegenden Polarität) kann den Kanal reduzieren und die Leitung reduzieren. Für jeden Modus entspricht eine mehr positive Gate-Spannung einem höheren Strom für n-Kanal-Geräte und einem niedrigeren Strom für P-Kanal-Geräte. Fast alle JFETs sind Erschöpfung, weil die Dioden-Kreuzungen die Verzerrungen und das Verhalten, wenn sie waren Verbesserung-Geräte, die meisten IGFETs sind Verbesserung-Modus.
Welcher Kanal entspricht der hohen Strömung?
n-Kanal-Geräte