In einer FET fließt der Strom-zu-Quelle-Strom über einen Durchführung Kanal, der die Quelle in die Abfluss verbindet. Die Leitfähigkeit wird durch das elektrische Feld variiert, das produziert wird, wenn eine Spannung zwischen dem Tor und den Quelle aufgetragen wird; daher wird die Strömung zwischen dem Abfluss und der Quelle durch die Spannung, die zwischen dem Tor und der Quelle angewendet wird, gesteuert. Da die Gate-Quelle-Spannung (VGS) erhöht wird, erhöht sich die Abfluss (IDS) exponentiell für die VGS unter der Schwelle, und dann zu einem grob quadratischen Tarif (IGS ∝ (VGS − VT) 2) (wo VT die Schwelle ist, bei der die Strömung beginnt) in der Platz-begrenzten Region über der Schwelle. Ein quadratische Verhalten wird nicht beobachtet in modernen Geräten, zum Beispiel beim 65 NM Technologie-Knoten.
Was bestimmt die Leitfähigkeit in einer FET?
elektrische Feld, das produziert wird, wenn eine Spannung zwischen dem Tor und den Quelle aufgetragen wird