该接头向前电压是适用于一个bjt的发射器基路口的电压, 以使基地进行一个指定的电流. 随着交叉电压的增加, 当前的增加速度. 表中给出的数值是典型的1 ma (同样的值适用于半导体二极管). 较低的路口向前电压更好, 因为这意味着驱动晶体管需要较少的动力. 给出的电流减少与温度的上升. 对于一个典型的硅路口, 变化是-2.1 mv / °c. 在一些电路中, 特殊补偿元素(sensistors)必须用来补偿这种变化.
为什么理想的路口电压低?
驱动 晶体管 需要 更 少 的 能量