1961年九月, 在德克萨斯州达拉斯的德克萨斯乐器工作时, 詹姆biard和gary pittman发现了他们在gaas基底上建造的隧道二极管的近红外(900 nm)光排放. 到1961年十月, 他们在gaas p-n路口光发射器和一个电隔离半导体探测器之间展示了高效的光发射和信号耦合. 1962年八月1962日, biard和皮特曼根据他们的调查结果提交了一个名为半导体辐射二极管的专利, 该专利描述了一个锌扩散p-n路口, 带有一个间隔阴极接触, 以允许在前置偏见下... 在确定其工作的优先事项的基础上, 从g.e. 实验室, rca研究实验室, ibm研究实验室, 贝尔实验室, 和林肯实验室在麻省理工学院, 美国专利办公室发布了这两个发明家的gaas红外(ir)专利发光二极管(美国专利us3293513), 第一个实际的led. 在提交专利后, 德 克 萨 斯 乐器 ( ti )开始了一个制造红外二极管的项目. 1962年十月, ti宣布了第一个led商业产品(的-100), 它使用了一个纯gaas水晶来发射一个890 nm的光输出. 1963年十月, ti宣布第一个商业半球led, 的-110.
在什么州发现了近红外光排放?
, 德克萨斯州