Transistor dwikutub gerbang-terisolasi
Transistor dwikutub gerbang-terisolasi ("IGBT = insulated gate bipolar transistor") adalah peranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai komponen saklar untuk aplikasi daya ini muncul sejak tahun 1980-an.